Das Vereinzeln von Chips auf einem Siliziumwafer ist mit mechanischen Sägen bei immer dünner werdenden Wafern zunehmend schwierig. Der MikrobearbeitungslaserTruMicro 5250 dagegen trennt die Chips berührungslos und ohne Abplatzungen an der Schnittkante. Die hohe Kantenqualität bedingt eine höhere Bruchfestigkeit. Dies verringert den Produktionsausschuss deutlich und spart damit Produktionskosten.

Je kleiner die Strukturgrößen auf einem Computerchip werden und je dichter die integrierten Elemente aneinander rücken, desto dünner müssen die isolierenden Dielektrika sein. Diese dünnen Dielektrika verursachen Kapazitivverluste proportional zu ihrer Dielektrizitätskonstante k. Als Material wird üblicherweise Siliziumdioxid verwendet, das eine vergleichsweise hohe Dielektrizitätskonstante von k=4 hat. Die Verwendung von Material gleicher Dicke, aber mit niedrigerer Dielektrizitätskonstante ("Low-k-Materialien") hat eine höhere Chipleistung mit weniger Energieverbrauch im Vergleich zu Siliziumdioxid zur Folge. Low-k-Materialien sind in der Regel spröder und weisen eine geringere Haftung als Siliziumdioxid auf. Dies erhöht beim Wafer-Trennen das Risiko von Absplittern und Ablösen der Low-k-Schichten, wenn ein Schneidrad verwendet wird. Die Verwendung von ultrakurzen Laserpulsen ermöglicht schnelles und qualitativ hochwertiges Ritzen dieser Low-k-Schichten ohne die Nachteile einer mechanischen Behandlung. Das Ritzen der Low-k-Schichten kann entweder mit einem anschließenden Laserschnitt des Basiswafers oder mit der Trennung durch ein Schneidrad kombiniert werden.